Параметры транзисторов МП9 — МП25
Параметры транзисторов
МП9, МП10, МП11, МП13
| Тип
прибора |
Структура | Pк max[ мВт ] | fгр,
f*h216 [ МГц ] |
Uкбо max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| МП9А
МП10 МП10А МП10Б |
n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n |
150 150 150 150 |
≥1* ≥1* ≥1* ≥1* |
15 15 30 30 |
15 15 30 30 |
| МП11
МП11А |
n-p-n n-p-n |
150 150 |
≥2* ≥2* |
15 15 |
15 15 |
| МП13
МП13А |
p-n-p p-n-p |
150 150 |
≥0.5* ≥1* |
15 15 |
15 15 |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо I*КЭR [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| МП9А
МП10 МП10А МП10Б |
20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) |
30* (30В) 30* (30В) 30* (30В) 50* (30В) |
15…45 (5В;1мА)
15…30 (5В;1мА) 15…30 (5В;1мА) 25…50 (5В;1мА) |
≤60 (5В) ≤60 (5В) ≤60 (5В) ≤60 (5В) |
| МП11
МП11А |
20 (150*) 20 (150*) |
30* (30В) 30* (30В) |
25…55 (5В;1мА)
45…100 (5В;1мА) |
≤60 (5В) ≤60 (5В) |
| МП13
МП13А |
20 (150*)
20 (150*) |
≤30 (15В)
≤30 (15В) |
≥12 (5В;1мА)
20…60 (5В;1мА) |
≤50 (5В)
≤50 (5В) |
продолжение таблицы
|
Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] |
τк [ пс ] |
|
| МП9А
МП10 МП10А МП10Б |
— — — — |
≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц) |
—- | |
| МП11
МП11А |
— — |
≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц) |
— | |
| МП13
МП13А |
— | ≤150*
≤12 (1кГц) |
— |
Параметры транзисторов МП14, МП15
| Тип
прибора |
Структура | Pк max
[ мВт ] |
fгр,
f*h216 [ МГц ] |
Uкбо max
[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| МП14
МП14А МП14Б МП14И |
p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p |
150 150 150 150 |
≥1* ≥1* ≥1* ≥1* |
15 30 30 30 |
15 30 30 30 |
| МП15
МП15А МП15И |
p-n-p p-n-p p-n-p |
150 150 150 |
≥2* ≥2* — |
15 15 15 |
15 15 15 |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| МП14
МП14А МП14Б МП14И |
20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) |
≤30 (15В) ≤30 (30В) ≤30 (30В) ≤30 (30В) |
20…40 (5В;1мА)
20…40 (5В;1мА) 30…60 (5В;1мА) 20…80 (5В;1мА) |
≤50 (5В) ≤50 (5В) ≤50 (5В) ≤50 (5В) |
| МП15
МП15А МП15И |
20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) |
≤30 (15В) ≤30 (15В) — |
30…60 (5В;1мА)
50…100 (5В;1мА) — |
≤50 (5В) ≤50 (5В) — |
продолжение таблицы
|
Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
r*6 [ Ом ] |
τк [ пс ]
|
|
| МП14
МП14А МП14Б МП14И |
—≤20 | ≤150*
≤150* ≤150* ≤150* |
—- | |
| МП15
МП15А МП15И |
—≤10 | ≤150*
≤150*- |
— |
Параметры транзисторов МП16, МП20
| Тип
прибора |
Структура | Pк max
[ мВт ] |
fгр, f*h216
[ МГц ] |
Uкбо max
U*КЭR max [ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| МП16
МП16А МП16Б МП16Я1 МП16Я11 |
p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p |
200 200 200 150 |
≥1* ≥1* ≥2* — — |
15 15 15 15* (100) 15* (100) |
15 15 15 15 |
| МП20А
МП20Б |
p-n-p p-n-p |
150 150 |
≥2* ≥1.5* |
30 30 |
30 30 |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо I*КЭR [мкА ] |
h21э, h*21э |
Cк C*12э [ пФ ] |
| МП16
МП16А МП16Б МП16Я1 МП16Я11 |
50 (300*) 50 (300*) 50 (300*) 300* 300* |
≤25 (15В) ≤25 (15В) ≤25 (15В) ≤50* (15В) ≤50* (15В) |
20…35 (1В;10мА)
30…50 (1В;10мА) 45…100 (1В;1мА) 20…70 (10В;100мА) 10…50 (10В;100мА) |
— — — — — |
| МП20А
МП20Б |
300* 300* |
≤50 (30В) ≤50 (30В) |
50…150 (5В;25мА)
80…200 (5В;25мА) |
— — |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ]
|
τк [ пс ] t*pac [ нс ] |
|
| МП16
МП16А МП16Б МП16Я1 МП16Я11 |
≤15 ≤15 ≤15 ≤6.6 ≤6.6 |
— — — — — |
≤2000*
≤1500* ≤1000* — — |
|
| МП20А
МП20Б |
≤1 ≤1 |
— — |
— |
Параметры транзисторов МП21, МП25
| Тип
прибора |
Структура | Pк max
[ мВт ] |
fгр,
f*h216 [ МГц ] |
Uкбо max
[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| МП21В
МП21Г МП21Д МП21Е |
p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p |
150 150 150 150 |
≥1.5* ≥1* ≥1* ≥0.7* |
40 60 60 70 |
40 40 40 40 |
| МП25
МП25А МП25Б |
p-n-p p-n-p p-n-p |
200 200 200 |
≥0.2* ≥0.2* ≥0.5* |
40 40 40 |
40 40 40 |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| МП21В
МП21Г МП21Д МП21Е |
300* 300* 300* 300* |
≤50 (40В) ≤50 (60В) ≤50 (50В) ≤50 (50В) |
20…100 (5В;25мА)
20…80 (5В;25мА) 60…200 (5В;25мА) 30…150 (5В;25мА) |
— — — — |
| МП25
МП25А МП25Б |
300* 400* 400* |
≤75 (40В) ≤75 (40В) ≤75 (40В) |
13…25 (20В;2.5мА)
20…50 (20В;2.5мА) 30…80 (20В;2.5мА) |
≤20 (20В) ≤20 (20В) ≤20 (20В) |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
rКЭнас [ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ] |
|
| МП21В
МП21Г МП21Д МП21Е |
≤1≤1
≤1 ≤1 |
—- | —- | |
| МП25
МП25А МП25Б |
≤2.2≤2
≤1.8 |
— | ≤1500
≤1500 ≤1500 |
Цоколёвка и размеры транзисторов
МП9 — МП25
П О П У Л Я Р Н О Е:
- Параметры транзисторов КТ104 — КТ302
- ВАРИСТОРЫ
- Кодовая маркировка транзисторов
Параметры транзистора КТ104
| Тип
прибора |
Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h216 [ МГц ] | U** КЭО max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ104А
КТ104Б КТ104В КТ104Г |
p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p |
150(60°С) 150(60°С) 150(60°С) 150(60°С) |
≥5* ≥5* ≥5* ≥5* |
30** 15** 15** 30** |
10 10 10 10 |
Варисторы — полупроводниковые резисторы с нелинейной ВАХ, отличительной особенностью которых является резко выраженная зависимость электрического сопротивления от приложенного к ним напряжения. Их используют для стабилизации и защиты от перенапряжений, преобразования частоты и напряжения, а также для регулирования усиления в системах автоматики, различных измерительных устройствах, источниках вторичного питания, в телевизионных приемниках, для подстройки частоты гетеродинов, в генераторах переменного и импульсного пилообразного напряжения, в схемах размагничивания цветных кинескопов и др. (см.табл.). Подробнее…
Транзисторы. Кодовая маркировка. Корпус КТ-26 (ТО-92) 
