Параметры транзисторов МП26 — МП42
Параметры транзисторов МП26, МП35
| Тип
прибора |
Структура | Pк max
[ мВт ] |
fгр,
f*h216 [ МГц ] |
Uкбо max
[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| МП26
МП26А МП26Б |
p-n-p p-n-p p-n-p |
200 200 200 |
≥0.2* ≥0.2* ≥0.5* |
70 70 70 |
70 70 70 |
| МП35 | n-p-n | 150 | ≥0.5* | 15 | — |
| Тип
прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| МП26
МП26А МП26Б |
300* 300* 400* |
≤75 (70В) ≤75 (70В) ≤75 (70В) |
13…25 (35В;1.5мА)
20…50 (35В;1.5мА) 30…80 (35В;1.5мА) |
≤15 (35В) ≤15 (35В) ≤15 (35В) |
| МП35 | 20 (150*) | 30 (5В) | 13…125 (5В;1мА) | — |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
rКЭнас [ Ом ] |
Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] |
τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ] |
примечание |
| МП26
МП26А МП26Б |
≤2.2
≤2.2 ≤1.8 |
—
— — |
≤1500***
≤1500*** ≤1500*** |
|
| МП35 | — | ≤220* | — |
Параметры транзисторов МП36, МП37
|
Тип прибора |
Структура | Pк max
[ мВт ] |
fгр,
f*h216 [ МГц ] |
Uкбо max
[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| МП36А | n-p-n | 150 | ≥1* | 15 | — |
| МП37А
МП37Б |
n-p-n n-p-n |
150 150 |
≥1* ≥1* |
30 30 |
— — |
продолжение таблицы
|
Тип прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк C*12э [ пФ ] |
| МП36А | 20 (150*) | ≤30 (5В) | 13…45 (5В;1мА) | — |
| МП37А
МП37Б |
20 (150*) 20 (150*) |
≤30 (5В) ≤30 (5В) |
15…30 (5В;1мА)
25…50 (5В;1мА) |
— — |
продолжение таблицы
|
Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] r*БЭ нас [ Ом ] K**у. р. [ дБ ] |
Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] |
τк [ пс ] |
примечание |
| МП36А | — | ≤10 (1кГц) | — | |
| МП37А
МП37Б |
—
— |
≤220*
≤220* |
—
— |
Параметры транзисторов
МП38, МП39, МП40
|
Тип прибора |
Структура | Pк maх
[ мВт ] |
fгр,
f*h216 [ МГц ] |
Uкбо max
U*КЭR max [ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| МП38
МП38А |
n-p-n n-p-n |
150 150 |
≥2* ≥2* |
15 15 |
— — |
| МП39
МП39Б |
p-n-p p-n-p |
150 150 |
≥0.5* ≥0.5* |
15* (10к) 15* (10к) |
5 5 |
| МП40
МП40А |
p-n-p p-n-p |
150 150 |
≥1* ≥1* |
15* (10к) 30* (10к) |
5 5 |
продолжение таблицы
|
Тип прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| МП38
МП38А |
20 (150*) 20 (150*) |
≤30 (5В) ≤30 (5В) |
25…55 (5В;1мА)
45…100 (5В;1мА) |
— — |
| МП39
МП39Б |
20 (150*) 20 (150*) |
≤15 (5В) ≤15 (5В) |
≥12 (5В;1мА)
20…60 (5В;1мА) |
≤50 (5В) ≤50 (5В) |
| МП40
МП40А |
20 (150*) 20 (150*) |
≤15 (5В) ≤15 (5В) |
20…40 (5В;1мА)
20…40 (5В;1мА) |
≤50 (5В) ≤50 (5В) |
продолжение таблицы
|
Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] |
τк [ пс ] |
примечание |
| МП38
МП38А |
— | ≤220*
≤220* |
— | |
| МП39
МП39Б |
— | -≤12 (1кГц) | — | |
| МП40
МП40А |
— | — | — |
Параметры транзисторов МП41,МП42
| Тип
прибора |
Структура | Pк max
[ мВт ] |
fгр,
f*h216 [ МГц ] |
Uкбо max
U*КЭR max [ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| МП41
МП41А |
p-n-p p-n-p |
150 150 |
≥1* ≥1* |
15* (10к) 15* (10к) |
5 5 |
| МП42
МП42А МП42Б |
p-n-p p-n-p p-n-p |
200 200 200 |
≥2* ≥1.5* ≥1* |
15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) |
— — — |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э, h*21э |
Cк C*12э [ пФ ] |
| МП41
МП41А |
20 (150*) 20 (150*) |
≤15 (5В) ≤15 (5В) |
30…60 (5В;1мА)
50…100 (5В;1мА) |
≤50 (5В) ≤50 (5В) |
| МП42
МП42А МП42Б |
150* 150* 150* |
— — — |
20…35* (1В;10мА)
30…50* (1В;10мА) 458…100* (1В;10мА) |
— — — |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ] |
примечание |
| МП41
МП41А |
—
— |
—
— |
—
— |
|
| МП42
МП42А МП42Б |
≤20
≤20 ≤20 |
—
— — |
≤2000***
≤1500*** ≤1000*** |
Цоколёвка и размеры транзисторов
МП26 — МП42
ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ
П О П У Л Я Р Н О Е:
- Параметры транзисторов КТ306 — КТ3168
- Цветовая маркировка стабилитронов.
- Основные характеристики фоторезисторов
Основные параметры отечественных биполярных транзисторов от КТ306 до КТ3168
Транзисторы очень часто используются в радиоаппаратуре и популярны в радиолюбительских конструкциях. Биполярные транзисторы имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор, у некоторых (обычно высокочастотных) имеется четвертый вывод — корпусной.
Цветовая маркировка стабилитронов.
Фоторезистор — это неполярный прибор, изменяющий своё сопротивление под действием источника света.
Принцип работы фоторезистора основан на эффекте фотопроводимости полупроводников. Затемненный прибор имеет максимальное сопротивление, при засветке оно уменьшается в 20…150 раз!
