Параметры транзисторов КТ104 — КТ302
Параметры транзистора КТ104
| Тип
прибора |
Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h216 [ МГц ] | U** КЭО max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ104А
КТ104Б КТ104В КТ104Г |
p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p |
150(60°С) 150(60°С) 150(60°С) 150(60°С) |
≥5* ≥5* ≥5* ≥5* |
30** 15** 15** 30** |
10 10 10 10 |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
IK max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк C*12э [ пФ ] |
|
КТ104А КТ104Б КТ104В КТ104Г |
50 50 50 50 |
≤1 (30В) ≤1 (15В) ≤1 (15В) ≤1 (30В) |
9…36 ( 5В; 1мА)
20…80 ( 5В; 1мА) 40…160 ( 5В; 1мА) 15…60 ( 5В; 1мА) |
≤50(5В) ≤50(5В) ≤50(5В) ≤50(5В) |
продолжение таблицы
| Тип
прибора |
rКЭнас [ Ом ] |
Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] |
τк [ пс ] |
Корпус |
| КТ104А
КТ104Б КТ104В КТ104Г |
≤50 ≤50 ≤50 ≤50 |
≤120* ≤120* ≤120* ≤120* |
— — — — |
 |
Параметры транзистора КТ117
| Тип прибора | Структура | Pк max
[ мВт ] |
fгр,
f*h216 f**h21э f**max [ МГц ] |
Uкбо max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
|
КТ117А КТ117Б КТ117В КТ117Г |
n-база n-база n-база n-база |
300 300 300 300 |
0.2*** 0.2*** 0.2*** 0.2*** |
30 30 30 30 |
30 30 30 30 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
|
КТ117А КТ117Б КТ117В КТ117Г |
50 (1*А) 50 (1*А) 50 (1*А) 50 (1*А) |
≤1 (30В) ≤1 (30В) ≤1 (30В) ≤1 (30В) |
0.5…0.7 (UБ1Б2=10В) 0.65…0.9 (UБ1Б2=10В) 0.5…0.7 (UБ1Б2=10В) 0.65…0.9 (UБ1Б2=10В) |
— — — — |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] |
Корпус |
|
КТ117А КТ117Б КТ117В КТ117Г |
— — — — |
— — — — |
— — — — |
|
Параметры транзистора КТ118
| Тип прибора |
Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, [ МГц ] | Uкбо max [ В ] |
Uэбо max [ В ] |
|
КТ118А КТ118Б КТ118В |
p-n-p p-n-p p-n-p |
100 (100°C) 100 (100°C) 100 (100°C) |
— — — |
15 15 15 |
31 31 31 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
|
КТ118А КТ118Б КТ118В |
50 50 50 |
≤0.1 (15В) ≤0.1 (15В) ≤0.1 (15В) |
— — — |
— — — |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ] |
Корпус |
|
КТ118А КТ118Б КТ118В |
100 100 120 |
— — — |
≤500** ≤500** ≤500** |
 |
Параметры транзистора КТ119
| Тип прибора |
Структура | Pк max [ мВт ] | fгр,
f*h216 f**h21э f**max [ МГц ] |
Uкбо max [ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ119А
КТ119Б |
n-база n-база |
25 25 |
0.2*** 0.2*** |
20 20 |
20 20 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| КТ119А
КТ119Б |
10 (50*) 10 (50*) |
— — |
0.5…0.65 (UБ2Б1=10В)
0.6…0.75 (UБ2Б1=10В) |
— — |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш , дБ |
τк [ пс ] |
Корпус |
| КТ119А
КТ119Б |
— — |
— — |
— — |
 |
Параметры транзистора КТ120
| Тип прибора |
Структура | Pк maх [ мВт ] | fгр, [ МГц ] | Uкбо max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ120А
КТ120Б КТ120В |
p-n-p p-n-p p-n-p |
10 10 10 |
≥1 ≥1 ≥1 |
60 30 60 |
10 10 10 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| КТ120А
КТ120Б КТ120В |
10 (20*) 10 (20*) 10 (20*) |
≤0.5 (60В) ≤0.5 (30В) ≤0.5 (60В) |
20…200 (5В;1мА)
20…200 (5В;1мА) 20…200 (5В;1мА) |
≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] |
Корпус |
| КТ120А
КТ120Б КТ120В |
≤50 — ≤110 |
— — — |
— — — |
 |
Параметры транзистора КТ120-1
| Тип прибора |
Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, [ МГц ] | Uкбо max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ120А-1
КТ120В-1 |
p-n-p p-n-p |
10 10 |
— — |
60 60 |
10 10 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| КТ120А-1
КТ120В-1 |
10 10 |
≤0.5 (60В) — |
20…200 (5В;1мА)
20…200 (5В;1мА) |
≤5 (5В) ≤5 (5В) |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] |
Корпус |
| КТ120А-1
КТ120В-1 |
≤50 ≤110 |
— — |
— — |
 |
Параметры транзистора КТ120-5
| Тип прибора |
Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, [ МГц ] | Uкбо max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ120А-5
КТ120В-5 |
p-n-p p-n-p |
10 20 |
— — |
60 60 |
10 10 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| КТ120А-5КТ120В-5 |
10 10 |
— — |
20…200 (5В;1мА)
20…200 (5В;1мА) |
≤5 (5В) ≤5 (5В) |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] |
Корпус |
| КТ120А-5
КТ120В-5 |
≤50 ≤110 |
— — |
— — |
 |
Параметры транзистора КТ127-1
| Тип прибора |
Структура | Pк max [ мВт ] |
fгр, f**h21э[ МГц ] | Uкбо max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ127А-1
КТ127Б-1 КТ127В-1 КТ127Г-1 |
n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n |
15 (60°С) 15 (60°С) 15 (60°С) 15 (60°С) |
≥0.1** ≥0.1** ≥0.1** ≥0.1** |
25 25 45 45 |
3 3 3 3 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| КТ127А-1
КТ127Б-1 КТ127В-1 КТ127Г-1 |
50 50 50 50 |
≤1 (25В) ≤1 (25В) ≤1 (25В) ≤1 (25В) |
15…60 (5В;1мА)
40…200 (5В;1мА) 15…60 (5В;1мА) 40…200 (5В;1мА) |
≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] |
Корпус |
| КТ127А-1
КТ127Б-1 КТ127В-1 КТ127Г-1 |
≤170 ≤170 ≤170 ≤170 |
— — — — |
— — — — |
 |
Параметры транзистора КТ301
| Тип прибора | Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h216 [ МГц ] | Uкбо max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ301
КТ301А КТ301Б КТ301В КТ301Г КТ301Д КТ301Е КТ301Ж |
n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n |
150 (60°С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (60°С) |
≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 |
20 20 30 30 30 30 30 20 |
3 3 3 3 3 3 3 3 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max I*K и max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| КТ301
КТ301А КТ301Б КТ301В КТ301Г КТ301Д КТ301Е КТ301Ж |
10 (20*) 10 (20*) 10 (20*) 10 (20*) 10 10 10 10 |
≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 (20В) ≤10 (20В) ≤10 (20В) ≤10 (20В) |
20…60 (10В;3мА)
40…120 (10В;3мА) 10…32 (10В;3мА) 20…60 (10В;3мА) 10…32 (10В;3мА) 20…60 (10В;3мА) 40…120 (10В;3мА) 80…300 (10В;3мА) |
≤10 (10В) ≤10 (10В) ≤10 (10В) ≤10 (10В) ≤10 (10В) ≤10 (10В) ≤10 (10В) ≤10 (10В) |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] |
Корпус |
| КТ301
КТ301А КТ301Б КТ301В КТ301Г КТ301Д КТ301Е КТ301Ж |
≤300 ≤300 ≤300 ≤300 ≤300 ≤300 ≤300 ≤300 |
— — — — — — — — |
— — — — ≤2000 ≤2000 ≤2000 ≤2000 |
 |
Параметры транзистора КТ302
| Тип прибора |
Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, [ МГц ] | Uкбо max[ В ] |
Uэбо max [ В ] |
| КТ302А
КТ302Б КТ302В КТ302Г |
n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n |
100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) |
— — — — |
15 15 15 15 |
4 4 4 4 |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
IK max [мА ] |
Iкбо [мкА ] |
h21э |
Cк [ пФ ] |
| КТ302А
КТ302Б КТ302В КТ302Г |
10 10 10 10 |
≤1 (15В) ≤1 (15В) ≤1 (15В) ≤1 (15В) |
110…250 (1В;0.11мА)
90…150 (3В;2мА) 110…250 (1.5В;0.5мА) 200…800 (3.5В;5мА) |
— — — — |
продолжение таблицы
| Тип прибора |
rКЭнас[ Ом ] |
Kш [ дБ ] |
τк [ пс ] |
Корпус |
| КТ302А
КТ302Б КТ302В КТ302Г |
— — — — |
≤7 (1 кГц) ≤7 (1 кГц) ≤7 (1 кГц) ≤7 (1 кГц) |
— — — — |
 |
П О П У Л Я Р Н О Е:
- Взаимозаменяемость матриц ноутбуков
- Краткие характеристики импортных диодов
- Таблица основных характеристик процессоров Intel LGA775
При ремонте ноутбука, а точнее при замене экрана (матрицы) часто возникает вопрос о взаимозаменяемости последней.
В статье, ниже представлены LCD матрицы размером от 10,1 до 15,6 и их аналоги.
Диод — один из самых популярных элементов в радиоаппаратуре. Справочник по импортным диодам поможет вам быстро найти подходящую замену при неимении оригинала. Вы сможете быстрее устранить неисправность в современной аппаратуре и вернуть её к «жизни».
В статье указаны основные параметры двух и четырех ядерных процессоров Intel LGA775, а также их общие и дополнительные характеристики.
