Вы здесь:
Главная » Новое на сайте » Параметры транзисторов КТ104 — КТ302

Параметры транзисторов КТ104 — КТ302

Параметры транзистора КТ104

Тип

прибора

Структура Pк max [ мВт ] fгр, f*h216 [ МГц ]
 U** КЭО max
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ104А

КТ104Б

КТ104В

КТ104Г

p-n-p

p-n-p

p-n-p

p-n-p

150(60°С)

150(60°С)

150(60°С)

150(60°С)

≥5*

≥5*

≥5*

≥5*

30**

15**

15**

30**

10

10

10

10

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max 

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

C*12э

[ пФ ]

КТ104А

КТ104Б

КТ104В

КТ104Г

50

50

50

50

≤1 (30В)

≤1 (15В)

≤1 (15В)

≤1 (30В)

9…36 ( 5В; 1мА)

20…80 ( 5В; 1мА)

40…160 ( 5В; 1мА)

15…60 ( 5В; 1мА)

≤50(5В)

≤50(5В)

≤50(5В)

≤50(5В)

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас

[ Ом ]

Kш [ дБ ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

Корпус

КТ104А

КТ104Б

КТ104В

КТ104Г

≤50

≤50

≤50

≤50

≤120*

≤120*

≤120*

≤120*

kt104

Параметры транзистора КТ117

Тип прибора Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h216

f**h21э

f**max

[ МГц ]

Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ117А

КТ117Б

КТ117В

КТ117Г

n-база

n-база

n-база

n-база

300

300

300

300

0.2***

0.2***

0.2***

0.2***

30

30

30

30

30

30

30

30

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ117А

КТ117Б

КТ117В

КТ117Г

50 (1*А)

50 (1*А)

50 (1*А)

50 (1*А)

≤1 (30В)

≤1 (30В)

≤1 (30В)

≤1 (30В)

0.5…0.7 (UБ1Б2=10В)

0.65…0.9 (UБ1Б2=10В)

0.5…0.7 (UБ1Б2=10В)

0.65…0.9 (UБ1Б2=10В)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

Корпус

КТ117А

КТ117Б

КТ117В

КТ117Г

kt104

Параметры транзистора КТ118

Тип
прибора
Структура Pк max [ мВт ] fгр, [ МГц ] Uкбо max
 
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ118А

КТ118Б

КТ118В

p-n-p

p-n-p

p-n-p

100 (100°C)

100 (100°C)

100 (100°C)

15

15

15

31

31

31

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max 

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ118А

КТ118Б

КТ118В

50

50

50

≤0.1 (15В)

≤0.1 (15В)

≤0.1 (15В)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

t**выкл [ нс ]

Корпус

КТ118А

КТ118Б

КТ118В

100

100

120

≤500**

≤500**

≤500**

kt118

Параметры транзистора КТ119

Тип
прибора
Структура Pк max [ мВт ] fгр,

f*h216

f**h21э

f**max

[ МГц ]

Uкбо max
 
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ119А

КТ119Б

n-база

n-база

25

25

0.2***

0.2***

20

20

20

20

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ119А

КТ119Б

10 (50*)

10 (50*)

0.5…0.65 (UБ2Б1=10В)

0.6…0.75 (UБ2Б1=10В)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш , дБ 

τк [ пс ]

Корпус

КТ119А

КТ119Б

kt119

Параметры транзистора КТ120

Тип
прибора
Структура Pк maх [ мВт ] fгр, [ МГц ] Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ120А

КТ120Б

КТ120В

p-n-p

p-n-p

p-n-p

10

10

10

≥1

≥1

≥1

60

30

60

10

10

10

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ120А

КТ120Б

КТ120В

10 (20*)

10 (20*)

10 (20*)

≤0.5 (60В)

≤0.5 (30В)

≤0.5 (60В)

20…200 (5В;1мА)

20…200 (5В;1мА)

20…200 (5В;1мА)

≤5 (5В)

≤5 (5В)

≤5 (5В)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

Корпус

КТ120А

КТ120Б

КТ120В

≤50

≤110

kt120

Параметры транзистора КТ120-1

Тип 
прибора
Структура Pк max [ мВт ] fгр [ МГц ] Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ120А-1

КТ120В-1

p-n-p

p-n-p

10

10

60

60

10

10

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max 

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ120А-1

КТ120В-1

10

10

≤0.5 (60В)

20…200 (5В;1мА)

20…200 (5В;1мА)

≤5 (5В)

≤5 (5В)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

Корпус

КТ120А-1

КТ120В-1

≤50

≤110

kt120_1

Параметры транзистора КТ120-5

Тип
прибора
Структура Pк max [ мВт ] fгр [ МГц ] Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ120А-5

КТ120В-5

p-n-p

p-n-p

10

20

60

60

10

10

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max 

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ120А-5КТ120В-5

10

10

20…200 (5В;1мА)

20…200 (5В;1мА)

≤5 (5В)

≤5 (5В)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

Корпус

КТ120А-5

КТ120В-5

≤50

≤110

kt120_5

Параметры транзистора КТ127-1

Тип
прибора
Структура Pк max

[ мВт ]
fгр, f**h21э[ МГц ] Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ127А-1

КТ127Б-1

КТ127В-1

КТ127Г-1

n-p-n

n-p-n

n-p-n

n-p-n

15 (60°С)

15 (60°С)

15 (60°С)

15 (60°С)

≥0.1**

≥0.1**

≥0.1**

≥0.1**

25

25

45

45

3

3

3

3

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max 

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ127А-1

КТ127Б-1

КТ127В-1

КТ127Г-1

50

50

50

50

≤1 (25В)

≤1 (25В)

≤1 (25В)

≤1 (25В)

15…60 (5В;1мА)

40…200 (5В;1мА)

15…60 (5В;1мА)

40…200 (5В;1мА)

≤5 (5В)

≤5 (5В)

≤5 (5В)

≤5 (5В)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

Корпус

КТ127А-1

КТ127Б-1

КТ127В-1

КТ127Г-1

≤170

≤170

≤170

≤170

kt127

Параметры транзистора КТ301

Тип прибора Структура Pк max [ мВт ] fгр, f*h216 [ МГц ] Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ301

КТ301А

КТ301Б

КТ301В

КТ301Г

КТ301Д

КТ301Е

КТ301Ж

n-p-n

n-p-n

n-p-n

n-p-n

n-p-n

n-p-n

n-p-n

n-p-n

150 (60°С)

150 (60°С)

150 (60°С)

150 (60°С)

150 (60°С)

150 (60°С)

150 (60°С)

150 (60°С)

≥20

≥20

≥20

≥20

≥30

≥30

≥30

≥30

20

20

30

30

30

30

30

20

3

3

3

3

3

3

3

3

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ301

КТ301А

КТ301Б

КТ301В

КТ301Г

КТ301Д

КТ301Е

КТ301Ж

10 (20*)

10 (20*)

10 (20*)

10 (20*)

10

10

10

10

≤10

≤10

≤10

≤10

≤10 (20В)

≤10 (20В)

≤10 (20В)

≤10 (20В)

20…60 (10В;3мА)

40…120 (10В;3мА)

10…32 (10В;3мА)

20…60 (10В;3мА)

10…32 (10В;3мА)

20…60 (10В;3мА)

40…120 (10В;3мА)

80…300 (10В;3мА)

≤10 (10В)

≤10 (10В)

≤10 (10В)

≤10 (10В)

≤10 (10В)

≤10 (10В)

≤10 (10В)

≤10 (10В)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

Корпус

КТ301

КТ301А

КТ301Б

КТ301В

КТ301Г

КТ301Д

КТ301Е

КТ301Ж

≤300

≤300

≤300

≤300

≤300

≤300

≤300

≤300

≤2000

≤2000

≤2000

≤2000

kt301

Параметры транзистора КТ302

Тип 
прибора
Структура Pк max [ мВт ] fгр, [ МГц ] Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ302А

КТ302Б

КТ302В

КТ302Г

n-p-n

n-p-n

n-p-n

n-p-n

100 (50°С)

100 (50°С)

100 (50°С)

100 (50°С)

15

15

15

15

4

4

4

4

продолжение таблицы

Тип
прибора

IK max 

[мА ]

Iкбо 

[мкА ]

h21э

Cк

[ пФ ]

КТ302А

КТ302Б

КТ302В

КТ302Г

10

10

10

10

≤1 (15В)

≤1 (15В)

≤1 (15В)

≤1 (15В)

110…250 (1В;0.11мА)

90…150 (3В;2мА)

110…250 (1.5В;0.5мА)

200…800 (3.5В;5мА)

продолжение таблицы

Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

Корпус

КТ302А

КТ302Б

КТ302В

КТ302Г

≤7 (1 кГц)

≤7 (1 кГц)

≤7 (1 кГц)

≤7 (1 кГц)

kt302

Метки: [ ]




ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ:


Популярность: 1 390 просм.
Вы можете следить за комментариями к этой записи через RSS 2.0. Вы можете оставить комментарий:.

Ваш комментарий


А ТАКЖЕ ЕЩЁ ИНТЕРЕСНОЕ:



MasterVintik