Вы здесь:
Главная » Новое на сайте » Параметры транзисторов ГТ313 — ГТ906

Параметры транзисторов ГТ313 — ГТ906

Параметры транзисторов

Ниже приводится таблица основных параметров  германиевых биполярных транзисторов отечественного производства ГТ313 — ГТ906 структуры p-n-p. 

Условные обозначения в таблице

UКБО (и) — максимально допустимое напряжение коллектор — база (импульсное);

UКЭО (и) — максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер (импульсное);

IK max (и) — максимально допустимый постоянный ток коллектора (импульсное);

IКБО — обратный ток коллектора;

РК max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;

H21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

КШ — коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Тип

транзистора

Стpуктуpа

транзистора

UКБО

 (и) В

UКЭО

 (и) В

IKmax

(и) мА

РKmax

 (т) Вт

К

h121э

IКБО

 мкА

frp

 МГц

Кш

ДБ

вид

(рис.)

ГТ313А

p-n-p

15

15

30

0.1

20¸
250

5

300

1

ГТ313Б

p-n-p

15

15

30

0.1

20¸
250

5

450

1

ГТ313В

p-n-p

15

15

30

0.1

30¸
170

5

350

1

ГТ328А

p-n-p

15

15

10

0.05

20¸
200

10

400

7

2

ГТ328Б

p-n-p

15

15

10

0.05

40¸
200

10

300

7

2

ГТ328В

p-n-p

15

15

10

0.05

10¸
70

10

300

7

2

ГТ346А

p-n-p

20

20

10

0.05

10¸
150

10

700

3

3

ГТ346Б

p-n-p

20

20

10

0.05

10¸
150

10

550

5.5

3

ГТ346В

p-n-p

20

20

10

0.05

15..150

10

550

6

3

ГТ402А

p-n-p

25

500

0.6

30…80

20

1

4

ГТ402Б

p-n-p

25

500

0.6

60..150

20

1

4

ГТ402В

p-n-p

40

500

0.6

30…80

20

1

4

ГТ402Г

p-n-p

40

500

0.6

60..150

20

1

4

ГТ402Д

p-n-p

25

500

0.6

30…80

25

1

4

ГТ402Е

p-n-p

25

500

0.6

60..150

25

1

4

ГТ402Ж

p-n-p

40

500

0.6

30…80

25

1

4

ГТ402И

p-n-p

40

500

0.6

60..150

25

1

4

ГТ403А

p-n-p

45

30

1,25

4

20..60

0,008

5

ГТ403Б

p-n-p

45

30

1,25

4

50..150

0,008

5

ГТ403В

p-n-p

60

45

1,25

5

20..60

0,008

5

ГТ403Г

p-n-p

60

45

1,25

4

50..150

0,008

5

ГТ403Д

p-n-p

60

45

1,25

4

50..150

0,008

5

ГТ403Е

p-n-p

60

45

1,25

5

30

0,008

5

ГТ403Ж

p-n-p

80

60

1,25

4

20…60

0,008

5

ГТ403И

p-n-p

80

60

1,25

4

30

0,008

5

ГТ403Ю

p-n-p

30

60

1,25

4

30..60

0,008

5

ГТ806А

p-n-p

75

75

15А

2 (30)

10¸
100

15
мА

10

6

ГТ806Б

p-n-p

100

100

15А

2 (30)

10¸
100

15
мА

10

6

ГТ806В

p-n-p

120

120

15А

2 (30)

10¸
100

15
мА

10

6

ГТ806Г

p-n-p

50

50

15А

2 (30)

10¸
100

15
мА

10

6

ГТ806Д

p-n-p

140

140

15А

2 (30)

10¸
100

15
мА

10

6

1Т813А

p-n-p

100

100

30 (40) А

1.5 (50)

10¸
60

16
мА

5

6

1Т813Б

p-n-p

125

125

30 (40) А

1.5 (50)

10¸
60

16
мА

5

6

1Т813В

p-n-p

150

150

30 (40) А

1.5 (50)

10¸
60

16
мА

5

6

ГТ905А

p-n-p

75

75

3 (7) А

(6)

35¸
100

20
мА

60

7

ГТ905Б

p-n-p

60

60

3 (7) А

(6)

35¸
100

20
мА

60

7

ГТ906А(М)

p-n-p

75

75

(15)

30¸
150

8
мА

30

8

Рис. 1.
Параметры транзисторов ГТ313

 Рис. 2.

Параметры транзисторов ГТ328

Рис. 3.

Параметры транзисторов ГТ346

Рис. 4.

Параметры транзисторов ГТ402

Рис. 5.

Параметры транзисторов ГТ403

Рис. 6.

Параметры транзисторов ГТ806

Рис. 7.

Параметры транзисторов ГТ905

Рис. 8.

Параметры транзисторов ГТ906


Метки: [ ]




ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ:


Популярность: 1 838 просм.
Вы можете следить за комментариями к этой записи через RSS 2.0. Вы можете оставить комментарий:.

Ваш комментарий


А ТАКЖЕ ЕЩЁ ИНТЕРЕСНОЕ:



MasterVintik