Параметры транзисторов ГТ313 — ГТ906
Добавил:
Винтик,Дата: 05 Янв 2014
Ниже приводится таблица основных параметров германиевых биполярных транзисторов отечественного производства ГТ313 — ГТ906 структуры p-n-p.
Условные обозначения в таблице
UКБО (и) — максимально допустимое напряжение коллектор — база (импульсное);
UКЭО (и) — максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер (импульсное);
IK max (и) — максимально допустимый постоянный ток коллектора (импульсное);
IКБО — обратный ток коллектора;
РК max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;
H21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
КШ — коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;
|
Тип
транзистора
|
Стpуктуpа
транзистора
|
UКБО
(и) В |
UКЭО
(и) В |
IKmax
(и) мА
|
РKmax
(т) Вт |
К
h121э
|
IКБО
мкА
|
frp
МГц |
Кш
ДБ
|
вид
(рис.)
|
| ГТ313А |
p-n-p
|
15
|
15
|
30
|
0.1
|
20¸
250
|
5
|
300
|
—
|
1
|
| ГТ313Б |
p-n-p
|
15
|
15
|
30
|
0.1
|
20¸
250
|
5
|
450
|
—
|
1
|
| ГТ313В |
p-n-p
|
15
|
15
|
30
|
0.1
|
30¸
170
|
5
|
350
|
—
|
1
|
| ГТ328А |
p-n-p
|
15
|
15
|
10
|
0.05
|
20¸
200
|
10
|
400
|
7
|
2
|
| ГТ328Б |
p-n-p
|
15
|
15
|
10
|
0.05
|
40¸
200
|
10
|
300
|
7
|
2
|
| ГТ328В |
p-n-p
|
15
|
15
|
10
|
0.05
|
10¸
70
|
10
|
300
|
7
|
2
|
| ГТ346А |
p-n-p
|
20
|
20
|
10
|
0.05
|
10¸
150
|
10
|
700
|
3
|
3
|
| ГТ346Б |
p-n-p
|
20
|
20
|
10
|
0.05
|
10¸
150
|
10
|
550
|
5.5
|
3
|
| ГТ346В |
p-n-p
|
20
|
20
|
10
|
0.05
|
15..150
|
10
|
550
|
6
|
3
|
| ГТ402А |
p-n-p
|
|
25
|
500
|
0.6
|
30…80
|
20
|
1
|
—
|
4
|
| ГТ402Б |
p-n-p
|
|
25
|
500
|
0.6
|
60..150
|
20
|
1
|
—
|
4
|
| ГТ402В |
p-n-p
|
|
40
|
500
|
0.6
|
30…80
|
20
|
1
|
—
|
4
|
| ГТ402Г |
p-n-p
|
|
40
|
500
|
0.6
|
60..150
|
20
|
1
|
—
|
4
|
| ГТ402Д |
p-n-p
|
|
25
|
500
|
0.6
|
30…80
|
25
|
1
|
—
|
4
|
| ГТ402Е |
p-n-p
|
|
25
|
500
|
0.6
|
60..150
|
25
|
1
|
—
|
4
|
| ГТ402Ж |
p-n-p
|
|
40
|
500
|
0.6
|
30…80
|
25
|
1
|
—
|
4
|
| ГТ402И |
p-n-p
|
|
40
|
500
|
0.6
|
60..150
|
25
|
1
|
—
|
4
|
| ГТ403А |
p-n-p
|
45
|
30
|
1,25
|
4
|
20..60
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ403Б |
p-n-p
|
45
|
30
|
1,25
|
4
|
50..150
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ403В |
p-n-p
|
60
|
45
|
1,25
|
5
|
20..60
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ403Г |
p-n-p
|
60
|
45
|
1,25
|
4
|
50..150
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ403Д |
p-n-p
|
60
|
45
|
1,25
|
4
|
50..150
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ403Е |
p-n-p
|
60
|
45
|
1,25
|
5
|
30
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ403Ж |
p-n-p
|
80
|
60
|
1,25
|
4
|
20…60
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ403И |
p-n-p
|
80
|
60
|
1,25
|
4
|
30
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ403Ю |
p-n-p
|
30
|
60
|
1,25
|
4
|
30..60
|
|
0,008
|
—
|
5
|
| ГТ806А |
p-n-p
|
75
|
75
|
15А
|
2 (30)
|
10¸
100
|
15
мА
|
10
|
—
|
6
|
| ГТ806Б |
p-n-p
|
100
|
100
|
15А
|
2 (30)
|
10¸
100
|
15
мА
|
10
|
—
|
6
|
| ГТ806В |
p-n-p
|
120
|
120
|
15А
|
2 (30)
|
10¸
100
|
15
мА
|
10
|
—
|
6
|
| ГТ806Г |
p-n-p
|
50
|
50
|
15А
|
2 (30)
|
10¸
100
|
15
мА
|
10
|
—
|
6
|
| ГТ806Д |
p-n-p
|
140
|
140
|
15А
|
2 (30)
|
10¸
100
|
15
мА
|
10
|
—
|
6
|
| 1Т813А |
p-n-p
|
100
|
100
|
30 (40) А
|
1.5 (50)
|
10¸
60
|
16
мА
|
5
|
—
|
6
|
| 1Т813Б |
p-n-p
|
125
|
125
|
30 (40) А
|
1.5 (50)
|
10¸
60
|
16
мА
|
5
|
—
|
6
|
| 1Т813В |
p-n-p
|
150
|
150
|
30 (40) А
|
1.5 (50)
|
10¸
60
|
16
мА
|
5
|
—
|
6
|
| ГТ905А |
p-n-p
|
75
|
75
|
3 (7) А
|
(6)
|
35¸
100
|
20
мА
|
60
|
—
|
7
|
| ГТ905Б |
p-n-p
|
60
|
60
|
3 (7) А
|
(6)
|
35¸
100
|
20
мА
|
60
|
—
|
7
|
| ГТ906А(М) |
p-n-p
|
75
|
75
|
6А
|
(15)
|
30¸
150
|
8
мА
|
30
|
—
|
8
|
|
Рис. 1.
Рис. 2.
Рис. 3.
Рис. 4.
Рис. 5.
Рис. 6.
Рис. 7.
Рис. 8.
ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ
П О П У Л Я Р Н О Е:
Популярность: 4 369 просм.
Вы можете следить
за комментариями к этой записи через
RSS 2.0.
Вы можете
оставить комментарий:.
Распайка Micro USB разъема на планшете (телефоне, ноутбуке)
