Вы здесь:
Главная » Новое на сайте » Основные параметры, обозначения и маркировка отечественных транзисторов

Основные параметры, обозначения и маркировка отечественных транзисторов

параметры транзисторов

Транзистор — один из самых распространённых элементов радиоаппаратуры. Есть полевые и биполярные транзисторы. У полевых транзисторов управление происходит с помощью электрического поля. Они имеют три вывода: исток, затвор и сток (иногда корпус). У биполярного транзистора соответственно: эмиттер, база и коллектор, (иногда тоже есть корпусной вывод).

Основная классификация транзисторов

Основная классификация транзисторов ведется по материалу, мощности, проводимости, частоты…

По мощности транзисторы делят на транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные.

По исходному полупроводниковому материалу — германиевые и кремниевые.

Основные параметры

биполярных и полевых транзисторов

UКБО — максимально допустимое напряжение коллектор — база;

UКБО И — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база;

UКЭО — максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер;

UКЭО И — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер;

UКЭН — напряжение насыщения коллектор — эмиттер;

UСИ max — максимально допустимое напряжение сток — исток;

UСИО — напряжение сток — исток при оборванном затворе;

UЗИ max — максимально допустимое напряжение затвор — исток;

UЗИ ОТС — Напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом, и с изолированным затвором);

UЗИ ПОР — Пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с изолированным затвором и п-каналом);

IK max — максимально допустимый постоянный ток коллектора;

IK max и — максимально допустимый импульсный ток коллектора;

Imax — максимально допустимый постоянный ток стока;

IC нач — начальный ток стока;

IC ост — остаточный ток стока;

IКБО — обратный ток коллектора;

РК max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;

РК max т — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;

РСИ max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток — исток;

H21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;

RСИ ОТК — сопротивление сток — исток в открытом состоянии;

— крутизна характеристики;

fГР. — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

КШ — коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Цоколевка биполярных и полевых транзисторов

Основные параметры, обозначения и маркировка отечественных транзисторов

Основные параметры, обозначения и маркировка отечественных транзисторов

 

Основные параметры, обозначения и маркировка отечественных транзисторов

tranzistor_004

 Система обозначений

По старой системе обозначений, введенной ещё до 1964 г. в обозначение транзистора входит буква и цифры. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

  • 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
  • 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
  • 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

  • 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
  • 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
  • 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например, П416 Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б; МП 39 Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1  элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть:

  • Г или 1 — германий,
  • К или 2 — кремний,
  • А или 3 — арсенид галлия,
  • И или 4 — индий.

2  элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3  элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Рmах < 0,3 Вт:

1 — маломощный низкочастотный, Гф< 3 МГц;
2 — маломощный среднечастотный, 3 < frp< 30 МГц;
3 — маломощный высокочастотный, 30 < fгр< 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Рmах <1,5 Вт:

4    — средней мощности низкочастотный;
5    — средней мощности среднечастотный;
6    — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Рmах >1,5 Вт:

7    — большой мощности низкочастотный;
8    — большой мощности среднечастотный;
9    — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (frp > 300 Гц).

4    элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5    элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например, КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б.






ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ:


Популярность: 7 340 просм.
Вы можете следить за комментариями к этой записи через RSS 2.0. Вы можете оставить комментарий:.

Один комментарий на «Основные параметры, обозначения и маркировка отечественных транзисторов»

Трекбеки

  1. Параметры транзисторов КТ306 - КТ3168 | Мастер Винтик. Всё своими руками!

Ваш комментарий


А ТАКЖЕ ЕЩЁ ИНТЕРЕСНОЕ НА НАШЕМ САЙТЕ: